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- Artikelnummer:
- BUK653R2-55C,127
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BUK653R2-55C,127 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK653R2-55C,127
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
258nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
15300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
306W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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