IPL60R650P6SATMA1 Preise (USD) [148729Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPL60R650P6SATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 8THINPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPL60R650P6SATMA1 elektronische Komponenten. IPL60R650P6SATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPL60R650P6SATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPL60R650P6SATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPL60R650P6SATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
Serie :
CoolMOS™ P6
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
557pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
56.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-ThinPak (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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