2SK2009TE85LF Preise (USD) [498647Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- 2SK2009TE85LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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2SK2009TE85LF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
2SK2009TE85LF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
70pF @ 3V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
200mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-59-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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