Diodes Incorporated - DMTH43M8LPS-13

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DMTH43M8LPS-13 Preise (USD) [198770Stück Lager]

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Artikelnummer:
DMTH43M8LPS-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI506.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH43M8LPS-13 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMTH43M8LPS-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI506
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2693pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.7W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI5060-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN