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- Artikelnummer:
- PMT200EN,115
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
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PMT200EN,115 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMT200EN,115
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
475pF @ 80V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-223
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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