Hersteller :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2340pF @ 12.5V
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
8-DFN-EP (5x6)