Artikelnummer :
APTM10DHM09TG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
350nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9875pF @ 25V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP4