ZXMN6A09GTA Preise (USD) [164288Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN6A09GTA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ZXMN6A09GTA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN6A09GTA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24.2nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1407pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-223
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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