ON Semiconductor - FQA85N06

KEY Part #: K6410268

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    Artikelnummer:
    FQA85N06
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQA85N06 elektronische Komponenten. FQA85N06 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQA85N06 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQA85N06 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQA85N06
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
    Serie : QFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 112nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±25V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4120pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 214W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-3P
    Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3