Artikelnummer :
IPB05N03LAT
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3110pF @ 15V
Verlustleistung (max.) :
94W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB