PHB21N06LT,118 Preise (USD) [244627Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PHB21N06LT,118
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PHB21N06LT,118 elektronische Komponenten. PHB21N06LT,118 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PHB21N06LT,118 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PHB21N06LT,118 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PHB21N06LT,118
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.4nC @ 5V
Vgs (Max) :
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
56W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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