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ON Semiconductor - FQA38N30

KEY Part #: K6415172

[27604Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FQA38N30
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQA38N30 elektronische Komponenten. FQA38N30 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQA38N30 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQA38N30 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQA38N30
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P
    Serie : QFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 38.4A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 19.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 290W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-3P
    Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

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