ON Semiconductor - FQPF30N06L

KEY Part #: K6399381

FQPF30N06L Preise (USD) [60727Stück Lager]

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Artikelnummer:
FQPF30N06L
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQPF30N06L elektronische Komponenten. FQPF30N06L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQPF30N06L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF30N06L Produkteigenschaften

Artikelnummer : FQPF30N06L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 38W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220F
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack