Infineon Technologies - IPA80R1K0CEXKSA2

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Artikelnummer:
IPA80R1K0CEXKSA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V TO-220-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA80R1K0CEXKSA2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPA80R1K0CEXKSA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Serie : CoolMOS™ CE
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 32W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-FP
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

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