SIR618DP-T1-GE3 Preise (USD) [170989Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIR618DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SIR618DP-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIR618DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8
Serie :
ThunderFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 7.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
48W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8
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