RF4E080BNTR Preise (USD) [396411Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RF4E080BNTR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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RF4E080BNTR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RF4E080BNTR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
HUML2020L8
Paket / fall :
8-PowerUDFN
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