Artikelnummer :
RJP020N06T100
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Teilestatus :
Not For New Designs
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
160pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
MPT3