Rohm Semiconductor - RJP020N06T100

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Artikelnummer:
RJP020N06T100
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJP020N06T100 Produkteigenschaften

Artikelnummer : RJP020N06T100
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : MPT3
Paket / fall : TO-243AA

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