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- Artikelnummer:
- BSO200P03SNTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSO200P03SNTMA1 elektronische Komponenten. BSO200P03SNTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSO200P03SNTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSO200P03SNTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSO200P03SNTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2330pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.56W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-DSO-8
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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