IXYS - IXTP1R6N50P

KEY Part #: K6410108

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    Artikelnummer:
    IXTP1R6N50P
    Hersteller:
    IXYS
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Zener - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTP1R6N50P elektronische Komponenten. IXTP1R6N50P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTP1R6N50P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTP1R6N50P Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IXTP1R6N50P
    Hersteller : IXYS
    Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
    Serie : PolarHV™
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.9nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 43W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB
    Paket / fall : TO-220-3

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