DMG5802LFX-7 Preise (USD) [325631Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMG5802LFX-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMG5802LFX-7 elektronische Komponenten. DMG5802LFX-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMG5802LFX-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMG5802LFX-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMG5802LFX-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
24V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1066.4pF @ 15V
Leistung max :
980mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-VFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
W-DFN5020-6
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