IRFB31N20DPBF Preise (USD) [38966Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRFB31N20DPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Chip von:
- Hongkong
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IRFB31N20DPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFB31N20DPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
107nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2370pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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