DMP1022UFDEQ-7 Preise (USD) [309017Stück Lager]
- 1 pcs$0.11969
- Artikelnummer:
- DMP1022UFDEQ-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMP1022UFDEQ-7 elektronische Komponenten. DMP1022UFDEQ-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMP1022UFDEQ-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMP1022UFDEQ-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMP1022UFDEQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42.6nC @ 5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2953pF @ 4V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
660mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / fall :
6-PowerUDFN
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