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- Artikelnummer:
- RS1E200BNTB
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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RS1E200BNTB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RS1E200BNTB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3100pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSOP
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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