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- Artikelnummer:
- IRF9389PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF9389PBF elektronische Komponenten. IRF9389PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF9389PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF9389PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF9389PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.8A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
398pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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