FCP190N65S3R0 Preise (USD) [65548Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FCP190N65S3R0
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FCP190N65S3R0 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCP190N65S3R0
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
Serie :
SuperFET® III
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.7mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
144W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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