IXYS - IXFH120N25T

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IXFH120N25T Preise (USD) [10182Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFH120N25T
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 120A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH120N25T Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFH120N25T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
Serie : HiPerFET™, TrenchT2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11300pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 890W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AD (IXFH)
Paket / fall : TO-247-3