NXP USA Inc. - PHT6N06LT,135

KEY Part #: K6405808

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    Artikelnummer:
    PHT6N06LT,135
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. PHT6N06LT,135 elektronische Komponenten. PHT6N06LT,135 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PHT6N06LT,135 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHT6N06LT,135 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : PHT6N06LT,135
    Hersteller : NXP USA Inc.
    Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
    Serie : TrenchMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±13V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SOT-223
    Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA