IPB120N04S4L02ATMA1 Preise (USD) [79838Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB120N04S4L02ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB120N04S4L02ATMA1 elektronische Komponenten. IPB120N04S4L02ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB120N04S4L02ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB120N04S4L02ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB120N04S4L02ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO263-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (Max) :
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14560pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
158W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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