Infineon Technologies - IPB47N10SL26ATMA1

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Artikelnummer:
IPB47N10SL26ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB47N10SL26ATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPB47N10SL26ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 175W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO263-3-2
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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