Artikelnummer :
APTM50DSKM65T3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
78 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7000pF @ 25V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP3