CSD25213W10 Preise (USD) [736098Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD25213W10
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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CSD25213W10 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD25213W10
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
47 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
-6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
478pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-DSBGA (1x1)
Paket / fall :
4-UFBGA, DSBGA
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