ON Semiconductor - NDD02N60ZT4G

KEY Part #: K6406482

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    Artikelnummer:
    NDD02N60ZT4G
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 600V DPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Zener - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NDD02N60ZT4G elektronische Komponenten. NDD02N60ZT4G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NDD02N60ZT4G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NDD02N60ZT4G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NDD02N60ZT4G
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 600V DPAK
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.2A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 57W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : DPAK
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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