NVMFS6H818NWFT1G Preise (USD) [64094Stück Lager]
- 1 pcs$0.61005
- Artikelnummer:
- NVMFS6H818NWFT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRENCH 8 80V NFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFS6H818NWFT1G elektronische Komponenten. NVMFS6H818NWFT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFS6H818NWFT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NVMFS6H818NWFT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFS6H818NWFT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRENCH 8 80V NFET
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta), 123A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 190µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3100pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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