Microsemi Corporation - APT20M38BVRG

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APT20M38BVRG Preise (USD) [7878Stück Lager]

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Artikelnummer:
APT20M38BVRG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT20M38BVRG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT20M38BVRG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
Serie : POWER MOS V®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6120pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 370W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3

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