SI4459BDY-T1-GE3 Preise (USD) [167720Stück Lager]
- 1 pcs$0.22053
- Artikelnummer:
- SI4459BDY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CHAN 30V SO-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4459BDY-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI4459BDY-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4459BDY-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4459BDY-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4459BDY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CHAN 30V SO-8
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
84nC @ 10V
Vgs (Max) :
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3490pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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