Infineon Technologies - IPP200N15N3GHKSA1

KEY Part #: K6412388

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    Artikelnummer:
    IPP200N15N3GHKSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP200N15N3GHKSA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IPP200N15N3GHKSA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
    Serie : OptiMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1820pF @ 75V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : PG-TO220-3
    Paket / fall : TO-220-3

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