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Microsemi Corporation - APT38F80B2

KEY Part #: K6396480

APT38F80B2 Preise (USD) [5675Stück Lager]

  • 1 pcs$8.43744
  • 30 pcs$8.39546
Artikelnummer:
APT38F80B2
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT38F80B2 elektronische Komponenten. APT38F80B2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT38F80B2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT38F80B2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT38F80B2
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8070pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1040W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : T-MAX™ [B2]
Paket / fall : TO-247-3 Variant

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