SSM6J512NU,LF Preise (USD) [717463Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SSM6J512NU,LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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SSM6J512NU,LF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SSM6J512NU,LF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
Serie :
U-MOSVII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.2 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
19.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-UDFNB (2x2)
Paket / fall :
6-WDFN Exposed Pad
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