CSD18535KTTT Preise (USD) [33490Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD18535KTTT
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 200A TO-263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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CSD18535KTTT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD18535KTTT
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 200A TO-263
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200A (Ta), 279A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6620pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DDPAK/TO-263-3
Paket / fall :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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