Artikelnummer :
SPI20N60C3HKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
114nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
208W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA