Toshiba Semiconductor and Storage - TK8Q60W,S1VQ

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TK8Q60W,S1VQ Preise (USD) [51384Stück Lager]

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Artikelnummer:
TK8Q60W,S1VQ
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N CH 600V 8A IPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK8Q60W,S1VQ Produkteigenschaften

Artikelnummer : TK8Q60W,S1VQ
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N CH 600V 8A IPAK
Serie : DTMOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 400µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 570pF @ 300V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 80W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak

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