Advanced Linear Devices Inc. - ALD212900APAL

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Artikelnummer:
ALD212900APAL
Hersteller:
Advanced Linear Devices Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD212900APAL Produkteigenschaften

Artikelnummer : ALD212900APAL
Hersteller : Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Serie : EPAD®, Zero Threshold™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 10.6V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id : 10mV @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 30pF @ 5V
Leistung max : 500mW
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package : 8-PDIP

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