Vishay Siliconix - IRFD010

KEY Part #: K6414892

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    Artikelnummer:
    IRFD010
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRFD010 elektronische Komponenten. IRFD010 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFD010 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFD010 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRFD010
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.7A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 860mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
    Paket / fall : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

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