DMTH10H010SPS-13 Preise (USD) [147415Stück Lager]
- 1 pcs$0.25091
- Artikelnummer:
- DMTH10H010SPS-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMTH10H010SPS-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMTH10H010SPS-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11.8A (Ta), 123A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
56.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4.468nF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI5060-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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