SIHF6N40D-E3 Preise (USD) [59189Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIHF6N40D-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIHF6N40D-E3 elektronische Komponenten. SIHF6N40D-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIHF6N40D-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIHF6N40D-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIHF6N40D-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
400V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
311pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
30W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220 Full Pack
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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