IPD70N12S311ATMA1 Preise (USD) [97820Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD70N12S311ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD70N12S311ATMA1 elektronische Komponenten. IPD70N12S311ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD70N12S311ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD70N12S311ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4355pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-11
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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