Artikelnummer :
PMXB56ENZ
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
209pF @ 15V
Verlustleistung (max.) :
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DFN1010D-3
Paket / fall :
3-XDFN Exposed Pad