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- Artikelnummer:
- BSG0810NDIATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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BSG0810NDIATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSG0810NDIATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1040pF @ 12V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
PG-TISON-8
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