SQJ204EP-T1_GE3 Preise (USD) [144991Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQJ204EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQJ204EP-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQJ204EP-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQJ204EP-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQJ204EP-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQJ204EP-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Leistung max :
27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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