ON Semiconductor - FDG326P

KEY Part #: K6411235

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    Artikelnummer:
    FDG326P
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDG326P elektronische Komponenten. FDG326P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDG326P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDG326P Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDG326P
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 467pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 750mW (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SC-88 (SC-70-6)
    Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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